IGBT транзисторы (Infineon)

IGBT транзисторы производства Infineon

IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.

IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.

IGBT транзисторы Infineon имеют диапазон рабочих токов от 2 до 52 А и рабочее напряжение от 600 до 1200 В

Диапазон рабочих температур от -55 до +150њС

Типы корпусов

Маркировка IGBT транзисторов

Краткие характеристики
Наименование	Частотный диапазон, кГц	Напряжение коллектор-эмиттер, В	Напряжение коллектор-эмиттер (откр.), В	Ток коллектора, А	Мощность рассеивания, Вт	Корпус	Особенности
BUP212	10	1200	3.4	22	125	TO-220AB	IGBT
BUP213			3.3	32	200	TO-220AB
BUP313			3.4	32	200	ТО-218АВ
BUP314				52	300
BUP311D				20	125		IGBT с обратным диодом
BUP313D				32	200
BUP314D				42	300
SGP30N60	30	600	2.5	30	250	TO-220AB	быстродействующий IGBT
SGW30N60		600	2.5	30	250	TO-247AC
SGP02N120		1200	3.1	2	62	TO-220AB
SGP07N120				7	125	TO-220AB
SGW25N120				25	313	TO-247AC
SKP15N60		600	2.3	15	139	TO-220AB	быстродействующий IGBT с обратным диодом
SKW25N120		1200	3.7	25	313	TO-247AC	быстродействующий IGBT с обратным диодом