IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики
приборов.
IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.
IGBT транзисторы Infineon имеют диапазон рабочих токов от 2 до 52 А и рабочее напряжение от 600 до 1200 В
Диапазон рабочих температур от -55 до +150њС