|
Оглавление
22 июня 2007, 19:27
BUP314 IGBT транзистор производства Siemens
BUP314 IGBT транзистор производства Siemens
|
Особенности:
Малое прямое падение напряжения
Высокая скорость переключения
Низкий остаточный ток
Отсутствие эффекта защелкивания
Нормированный лавинные параметры
Напряжение VCE=1200 V
Ток IC=52 A
Корпус TO-218 AB
|
|
Предельно допустимые параметры и температурные характеристики |
Параметр |
Обозначение |
Значение |
Ед. изм. |
Напряжение коллектор-эмиттер |
VCE |
1200 |
V |
Напряжение коллектор-затвор, RGEM = 20 kΩ |
VCGR |
1200 |
V |
Напряжение затвор-эмиттер |
VGE |
± 20 |
V |
Ток коллектора DC при TC=25°C |
IC |
52 |
A |
Ток коллектора DC при TC=90°C |
33 |
Ток коллектора pulsed, tp = 1 ms при TC=25°C |
ICpulse |
104 |
A |
Ток коллектора pulsed, tp = 1 ms при TC=90°C |
66 |
Лавинная энергия одиночного импульса, IC=25A, VCC=50V,
RGE=25W, L=200μH, Tj=25°C |
EAS |
65 |
mJ |
Мощность рассеивания при TC=25°C |
Ptot |
300 |
W |
Рабочая температура |
TJ |
-55 + 150 |
°C |
Температура хранения |
Tstr |
-55 + 150 |
°C |
Термостойкость |
RthJC |
менее или равно 0.42 |
K/W |
|
Электрические характеристики Tj = 25°C, если не указано иное |
Параметр |
Обозначение |
MIN |
TYP |
MAX |
Ед. изм. |
Пороговое напряжение затвора, VGE = VCE, IC=0.35 mA |
VGE(th) |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
Коллектор-эмиттер напряжение насыщения, VGE=15V, IC=25A, Tj=25°C |
VCE(sat) |
- |
2.7 |
3.2 |
V |
Коллектор-эмиттер напряжение насыщения, VGE=15V, IC=25A, Tj=125°C |
- |
3.3 |
3.9 |
Коллектор-эмиттер напряжение насыщения, VGE=15V, IC=42A, Tj=25°C |
- |
3.4 |
- |
Коллектор-эмиттер напряжение насыщения, VGE=15V, IC=42A, Tj=125°C |
- |
4.3 |
- |
Ток покоя, VCE=1200V, VGE=0V, Tj=25°C |
ICES |
- |
- |
0.25 |
mA |
Ток утечки затвор-эмиттер, VCE=0V, VGE=25V |
IGES |
- |
- |
100 |
nA |
Крутизна характеристики, VCE=20V, IC=25A |
gfs |
8.5 |
20 |
- |
S |
Входная емкость |
Ciss |
- |
1650 |
2200 |
pF |
Выходная емкость |
Coss |
- |
250 |
380 |
Емкость обратного перехода |
Crss |
- |
110 |
160 |
Время задержки включения, VCC=600V, VGE=15V, IC=25A, RGon=47Ω |
td(on) |
- |
75 |
110 |
ns |
Время нарастания, VCC=600V, VGE=15V, IC=25A, RGon=47Ω |
tr |
- |
65 |
100 |
Время задержки выключения, VCC=600V, VGE=15V, IC=25A, RGon=47Ω |
td(off) |
- |
420 |
560 |
Вемя спада, VCC=600V, VGE=15V, IC=25A, RGon=47Ω |
tf |
- |
45 |
60 |
|
Графики и зависимости BUP314
|
|
[116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] |
|
|