BC846PN - пара NPN/PNP транзисторов в SMD корпусе
Оглавление
06 декабря 2007, 20:32  

BC846PN - пара NPN/PNP транзисторов в SMD корпусе


BC846PN - пара NPN/PNP транзисторов в одном SMD корпусе

Особенности:

  • Подходит для построения входных усилительных каскадов
  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Низкий ток утечки
  • Два гальванически изолированных NPN/PNP транзистора в одном корпусе SMD
  • Маркировка, упаковка и назначение выводов
    Наименование Маркировка Код для заказа Корпус Выводы NPN транзистора Выводы PNP транзистора
    BC846PN 1Os Q62702-C2537 SOT-363 1=E, 6=C, 2=B 4=E, 3=C, 5=B
    Предельно-допустимые параметры
    Параметр Обозн. Величина Ед. изм.
    Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 65 V
    Напряжение коллектор-база VCBO 80
    Напряжение эмиттер-база VEBO 5
    Ток коллектора IC 100 mA
    Пиковый ток коллектора ICM 200
    Температура перехода Tj 150 C °
    Температура хранения Tstr -65...150
    Общая мощность рассеивания при TS=115C ° Ptot 250 mW

    [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40]
    август 2019 г.
    пн вт ср чт пт сб вс
    1 2 3 4
    5 6 7 8 9 10 11
    12 13 14 15 16 17 18
    19 20 21 22 23 24 25
    26 27 28 29 30 31

    сентябрь 2019 г.
    пн вт ср чт пт сб вс
    1
    2 3 4 5 6 7 8
    9 10 11 12 13 14 15
    16 17 18 19 20 21 22
    23 24 25 26 27 28 29
    30

    октябрь 2019 г.
    пн вт ср чт пт сб вс
    1 2 3 4 5 6
    7 8 9 10 11 12 13
    14 15 16 17 18 19 20
    21 22 23 24 25 26 27
    28 29 30 31

    ноябрь 2019 г.
    пн вт ср чт пт сб вс
    1 2 3
    4 5 6 7 8 9 10
    11 12 13 14 15 16 17
    18 19 20 21 22 23 24
    25 26 27 28 29 30

    декабрь 2019 г.
    пн вт ср чт пт сб вс
    1
    2 3 4 5 6 7 8
    9 10 11 12 13 14 15
    16 17 18 19 20 21 22
    23 24 25 26 27 28 29
    30 31


    Page created in 0.02532 seconds